IMB11AT110 与 BCR 183U E6327 区别
| 型号 | IMB11AT110 | BCR 183U E6327 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-IMB11AT110-1 | A-BCR 183U E6327 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | IMB11A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual PNP Digital Transistor - SC-74 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | 10K Ohms | 10k Ohms | ||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 250mW | ||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 200MHz | ||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | -300mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-457 | SOT-457 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -100mA | ||||||
| 系列 | - | BCR183 | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| R1 | 10K Ohms | 10k Ohms | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,980 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IMB11AT110 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-457 300mW -50V -100mA PNP |
￥1.1402
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2,980 | 当前型号 | ||||||||
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BCR 183U E6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-457 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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